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;   DUV光刻机可以说只是‘试试水’的产品。
    
    为啥一直用干式的光刻法？
    
    其实就是因为EUV光刻机是无法使用浸润法的，甚至EUV光刻机还不能用传统的干式，而是要用‘真空’环境。
    
    因为极紫外线已经是电离辐射，足够将空气电离了，更别说液体。
    
    这种情况下大本营之外的当然还是DUV，但蓬来上本来就是王易亲自打造的镜片配套的EUV光刻体系。
    
    结构上和以前的DUV都还相当类似，完全成熟的技术。
    
    不像阿斯麦的EUV光刻机因为没有可以让极紫外线通过的镜头，需要使用反射，能量损失极为严重，每次反射都要浪费30%左右，最终只有2%的利用率。
    
    体积增大的同时光源的高功率还需要配套冷却系统，几乎是相当于完全新开一条赛道了。
    
    所以其实王易这边的EUV光刻机出来的还要更早，而且效率和良品率也要远超！
    
    “可是他们也有EUV了呀，硅基芯片的物理极限都快到了，老板，人家要升级嘛~”
    
    林诗琴的话也让王易有些无语。
    
    她应该能够知道，王易在量子计算的提升上对她是有一定限制的。
    
    毕竟量子计算的算力指数加成，配合王易的新公式算法，很容易导致失控。
    
    但经典计算机的算力提升，王易肯定还是不会给她什么制约的。
    
    EUV光刻机，分辨率远远超过了DUV光刻机。
    
    采用的是13.5n波长，已经接近X射线的极紫外线，
    
    理论上已经能达到硅基芯片的极限！
    
    要知道单个的硅原子也就是0.12n，还要考虑电子隧穿效应，所以目前正常的观点中，1n差不多就是硅基芯片的极限了。
    
    当然，当初20n的时候隧穿效应就已经出现，通过结构调整解决的，说不定等到1n工艺后又找到了解决办法。
    
    可即便这样，0.12n的硅原子大小也摆在这里，总不可能把原子分开。
    
    这种情况下，所需要考虑的要么就是通过叠加芯片数目来增加晶体管数，采取新架构和新的方式，要么就要考虑其他材料了。
    
    比如碳基就是一个方向，但碳基有待解决的问题太多了，麻烦还很多。
    
    而除此之外，还有另外一种材料，同等密度下算力能够超过硅基数百倍！
    
    而且因为功耗极低，几乎没有散热问题，可以轻易的集成与立体化叠加，达到理论上同规模下远超硅基上限的效率。
    
    那就是利用约瑟夫森结形成的超导材料。
    
    是，量子计算机也要运用到超导，但超导对计算机的运用可并不单单是量子计算机，传统的超导计算机同样也有着对应结构。
    
    只是因为性价比问题和现在的低温超导材料，目前只是做出过单个的约瑟夫森结来用来测试，并没有尝试过集成。
    
    都知道超导可以看做是无电阻，且具备抗磁力，正常来说超导本身是无法形成半导体的这种特性，但两块超导材料之间加入一块氧化隔层，却是能在一定条件下达到相同的效果！
    
    这，就是约瑟夫森结。
    
    只是正常来说超导材料本身的获得太难了。
    
    绝大多数情况下，超导材料都需要在液氦的低温环境才能有超导特性，好一点的也得是液氮。
    
    不过林诗琴的意思明显是，让王易自己徒手撸出一些常温超导材料来帮她。
    
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