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    沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透，兴奋得睡不着。

    喝了一杯茶，他想看看芯片制造技术的核心设备：光刻机。

    目前市场上，有两种主流光刻机，一个是DUV光刻机，另一个是EUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是极深紫外线能够画越细越复杂的画。

    DUV就是彩笔，EUV就是中性笔，中性笔画的线条比较细，比较好用。

    这么理解，也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。

    当前，国外品牌光刻机主要以荷蓝ASML，岛国Nikon和Canon三大品牌为主。

    EUV的价格是1—3亿美金／台，DUV的价格为2000万—5000万美金／台不等。

    目前先进的光刻系统就是EUV光刻机，如果沐阳打算走EUV光刻机路线，必然绕不开别人的技术专利保护范围。

    因此，他只能寻找另外光种的光刻机，同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。

    就说分辨率，如果制作出来的电路图模糊不清，那芯片肯定不好。

    光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。

    并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞DUV和EUV光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。

    所以，他只能另辟蹊径。

    很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。

    原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，制造出了0.7n宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。

    沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0.7n小。

    他在系统商店普通货架上默念搜索电子束光刻机，很快，搜索出几款相关技术。

    沐阳选择适合自己公司的一款技术：EBL01

    技术参数：

    1.最小线宽：小于1nbr/>

    2.加速电压：5—500kV

    3.电子束直径：小于0.5nbr/>

    4.套刻精度：1nan＋0.20）

    5.拼接精度：1nan＋0.20）

    6.加工晶圆尺寸：4—18英寸

    7.描电镜分辨率：小于0.2nbr/>

    主要特点：

    1.采用超高亮度和超高稳定性的TFE电子枪；

    2.出色的电子束偏转控制技术；

    3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达0.0002n

    4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.002ad；

    5.应用领域广泛，如

    微纳器件加工，研究用掩膜制造，纳米加工，高频电子器件中的混合光刻，图形线宽和图形位移测量等。

    .....

    需要成就点：300点！

    ....

    沐阳大概看了下简介，光从技术参数上就看出它的先进性。

    还有更加先进的光刻机，但是，以星海集团目前的条件，买了也造不出来，而且需要的成就点非常多。

    这个EBL01号称可以制造1n下的芯片，但量产成本会比较高。

    因此，当前的情况，星海集团可以从7n片工艺开始，可以保证在2018年之前保持在世界第一地位。

    等竞争对手可以批量搞7n片了，星海集团再推出5n3n片。

    有些设备应用，也用不着这么高端的芯片，28n片工艺足够，也是未来十年内的主流。

    只是说，沐阳不打算玩什么中低端芯片。

    另外，沐阳打算弄一些小于1n芯片，用于制造量子计算机和超算，这类芯片他打算自用。

    接下来，沐阳确认购买EBL01技术。

    十几分钟后，沐阳把EBL01技术吸收完毕。

    他感觉自己对光刻机有了更深入的了解，如今就是实实在在的芯片制造顶尖专家。

    买了光刻机的技术，沐阳还得购买芯片设计技术、芯片设计相关软件和相关设备。

    这个芯片设计软件，他就不打算自己研发了，他在芯片软件设计这一块是弱点，靠自己研究不知道得花多长时间。

    而且，目前公司形势严峻，一旦漂亮国知道自己公司在搞芯片了，会对星海集团搞各种限制。

    沐阳现在赶时间，同时还有更多更重要的事情需要他亲自处理。

    于是，他又花了400点成就点。

    这一晚，沐阳就花了700点成就点，还是有些心疼。

    等吸收完新技术后，沐阳实在有些发困了，回床休息。

    翌日，沐阳是被宋雪露吧嗒一下脸蛋睡醒的。

    孩子他爸，生日快乐。

    谢谢，有你真好。

    沐阳睁开朦胧的双眼，揽过妻子的纤腰。

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